स्लॉट फोटोइलेक्ट्रिक सेंसर DTP सीरीज़ NPN+PNP NO/NC एलेवेटर इंडस्ट्री के लिए बीम फ्लैट लेयर स्विच के माध्यम से
पता लगाने की विधि: बीम के माध्यम से
रेटेड दूरी: 30 मिमी (समायोज्य नहीं)
मानक लक्ष्य: अपारदर्शी वस्तुओं से ऊपर φ6 मिमी
प्रकाश स्रोत: अवरक्त एलईडी (मॉड्यूलेशन)
आउटपुट प्रकार: NO/NC वैकल्पिक (भाग संख्या पर निर्भर करता है)
आपूर्ति वोल्टेज: 10… 30 वीडीसी
सबसे छोटा डिटेक्टर: φ3 मिमी अपारदर्शी वस्तुओं से ऊपर
लोड करंट: ≤100ma
अवशिष्ट वोल्टेज: ≤2.5v
प्रतिक्रिया समय: अधिकतम, 1ms
| एनपीएन+पीएनपी | नहीं/नेकां | DTP-U30S-TDFB |
| पता लगाने की विधि | बीम के माध्यम से |
| रेटेड दूरी | 30 मिमी (समायोज्य नहीं) |
| मानक लक्ष्य | Abot6 मिमी अपारदर्शी वस्तुओं से ऊपर |
| प्रकाश स्रोत | अवरक्त एलईडी (मॉड्यूलेशन) |
| उत्पादन का प्रकार | NO/NC वैकल्पिक (भाग संख्या पर निर्भर करता है) |
| वोल्टेज आपूर्ति | 10… 30 वीडीसी |
| सबसे छोटा डिटेक्टर | Φ3 मिमी अपारदर्शी वस्तुओं से ऊपर |
| भार बिजली | ≤100ma |
| अवशिष्ट वोल्टेज | ≤2.5v |
| उपभोग वर्तमान | ≤20ma |
| परिपथ संरक्षण | शॉर्ट सर्किट प्रोटेक्शन, अधिभार संरक्षण, रिवर्स पोलरिटी प्रोटेक्शन |
| प्रतिक्रिया समय | मैक्स, 1ms |
| आउटपुट संकेत | पीले रंग का एलईडी |
| विरोधी परिवेश प्रकाश | सनशाइन: ≤20000lx; गरमागरम: 0003000LX |
| परिवेश का तापमान | - 15 सी ... 55 सी |
| पर्यावरणीय आर्द्रता | 35-95%आरएच (कोई संक्षेपण नहीं) |
| उच्च दबाव प्रतिरोधी | 1000V/AC 50/60Hz 60s |
| इन्सुलेशन प्रतिरोध | ≥50mq (500VDC) |
| कंपन प्रतिरोधी | जटिल आयाम 1.5 मिमी 10… 50 हर्ट्ज (2 घंटे प्रत्येक x, y, और z दिशाओं में) |
| सुरक्षा की डिग्री | IP64 |
| संबंध | 4-पिन 2 एम पीवीसी केबल |
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