Pembuatan semikonduktor merupakan salah satu bidang yang paling menuntut ketepatan dan kompleks dari segi teknologi dalam industri berteknologi tinggi masa kini. Apabila proses cip maju ke arah nod 3nm dan lebih kecil lagi, ketepatan pengukuran untuk ketebalan wafer, kerataan permukaan dan dimensi mikrostruktur secara langsung menentukan hasil dan prestasi cip. Dalam konteks ini, sensor anjakan laser, dengan operasi tanpa sentuhan, ketepatan yang unggul, masa tindak balas yang lebih pantas dan kestabilan yang dipertingkatkan, telah menjadi "mata pengukuran" yang sangat diperlukan sepanjang proses pembuatan semikonduktor.
Sebagai substrat teras fabrikasi peranti semikonduktor, wafer memerlukan ketepatan dan kebolehpercayaan yang tinggi semasa pengeluaran. Antara pelbagai peringkat kritikal pembuatan wafer, pengukuran anjakan yang tepat adalah sangat penting—ia memberi kesan langsung kepada prestasi dan hasil cip akhir. Sebagai peneraju inovasi dalam sektor penderiaan perindustrian China, sensor anjakan laser siri PDE Lansensor, yang menampilkan resolusi peringkat mikron, algoritma pintar dan kebolehpercayaan gred perindustrian, telah muncul sebagai penyelesaian pilihan untuk proses pembuatan wafer.
Cabaran Ketepatan dalam Pembuatan Wafer dan Kelebihan Sensor Anjakan Laser
Pembuatan wafer melibatkan satu siri proses kompleks seperti fotolitografi, pengetsaan, pemendapan filem nipis dan pengikatan—setiap satu memerlukan ketepatan yang ketat pada tahap mikrometer atau nanometer. Contohnya:
-
Dalam fotolitografi, penjajaran tepat antara fotomask dan wafer adalah penting untuk memastikan pemindahan corak yang tepat ke permukaan wafer.
-
Semasa pemendapan filem nipis, kawalan ketebalan filem yang tepat adalah penting untuk menjamin prestasi elektrik peranti.
Penyimpangan yang sedikit pun boleh menyebabkan kecacatan produk atau menyebabkan keseluruhan kelompok wafer tidak dapat digunakan.
Kaedah pengukuran mekanikal tradisional sering gagal memenuhi permintaan ketepatan tinggi sedemikian. Tambahan pula, ia berisiko merosakkan atau mencemari permukaan wafer yang rapuh, manakala kelajuan tindak balasnya yang perlahan menjadikannya tidak mencukupi untuk keperluan metrologi canggih.
LanbaosensorSensor Anjakan Laser Siri PDEPenyelesaian Optimum untuk Aplikasi Wafer
◆Pengukuran Laser Tanpa Sentuhan
Menggunakan unjuran pancaran laser ke permukaan sasaran, menganalisis isyarat pantulan/terserak untuk mendapatkan data anjakan - menghapuskan sentuhan fizikal dengan wafer bagi mencegah kerosakan mekanikal dan risiko pencemaran.
◆Ketepatan Tahap Mikron
Teknologi laser termaju dan algoritma pemprosesan isyarat memberikan ketepatan dan resolusi pengukuran skala mikrometer, memenuhi tuntutan ketepatan yang ekstrem bagi proses fabrikasi wafer.
◆Respons Ultra Pantas (<10ms)
Membolehkan pemantauan masa nyata bagi variasi pengeluaran dinamik, membolehkan pengesanan sisihan dan pembetulan segera bagi meningkatkan kecekapan pembuatan.
◆Keserasian Bahan Luar Biasa
Mampu mengukur pelbagai bahan dan jenis permukaan dengan kebolehsuaian persekitaran yang kuat, sesuai untuk pelbagai peringkat proses semikonduktor.
◆Reka Bentuk Perindustrian Kompak
Faktor bentuk padat memudahkan penyepaduan lancar ke dalam peralatan dan sistem kawalan automatik, membolehkan pemantauan proses pintar dan pelarasan gelung tertutup.
Senario Aplikasi bagiSensor Anjakan Laser Siri PDEdalam Pemprosesan Wafer
Sensor LanbaoSensor Anjakan Laser Siri PDEAplikasi Kritikal dalam Pembuatan Wafer
Dengan prestasi yang luar biasa, sensor anjakan laser Lansensor PDE memainkan peranan penting merentasi pelbagai proses fabrikasi wafer:
◆Penjajaran & Penentuan Kedudukan Wafer
Untuk fotolitografi dan proses pengikatan yang memerlukan ketepatan tahap mikron, sensor kami mengukur kedudukan wafer dan sudut kecondongan dengan tepat bagi memastikan penjajaran topeng-ke-wafer dan kedudukan lengan pengikatan yang sempurna – meningkatkan ketepatan pemindahan corak.
◆Metrologi Ketebalan Wafer
Membolehkan pengukuran ketebalan tanpa sentuhan dengan pemantauan masa nyata semasa proses pemendapan, memastikan kawalan kualiti filem nipis yang optimum.
◆Pemeriksaan Kerataan Wafer
Mengesan lengkungan wafer dan ubah bentuk permukaan dengan resolusi sub-mikron untuk mengelakkan wafer yang rosak daripada bergerak ke hilir.
◆Pemantauan Ketebalan Filem Nipis
Menyediakan penjejakan ketebalan pemendapan masa nyata semasa proses CVD/PVD untuk mengekalkan spesifikasi prestasi elektrik yang ketat.
◆Pengesanan Kecacatan Permukaan
Mengenal pasti anomali permukaan skala mikron (calar, zarah) melalui pemetaan anjakan resolusi tinggi, meningkatkan kadar pengesanan kecacatan dengan ketara.
◆Pemantauan Keadaan Peralatan
Mengesan anjakan komponen kritikal (lengan robot, pergerakan pentas) dan getaran mesin untuk penyelenggaraan ramalan dan pengoptimuman kestabilan.
Siri PDE sensor Lanbao bukan sahaja merapatkan jurang teknologi kritikal dalam pasaran sensor perindustrian mewah China tetapi juga mewujudkan penanda aras global baharu dengan prestasinya yang luar biasa. Sama ada meningkatkan kadar hasil, mengurangkan kos pengeluaran atau mempercepatkan pembangunan proses generasi seterusnya, siri PDE berdiri sebagai senjata utama anda untuk mengatasi cabaran pembuatan semikonduktor jitu!
Masa siaran: 8 Mei 2025